栅极材料的革命(Gate Electrode) （转）

半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了，从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料 ...

雖然當時並沒有發現該閘操作上有不妥善之處，但由於鐵閘比較重，為了改善閘門的操作，故同意更換一道較輕的鐵閘。 18 Main entrance metal gate not causing obstruction to ...

正體中文(繁體). 英語. metal gate. collocation in 英語. meanings of ... metal的釋義gate的釋義Examples of metal gate其他包含gate的固定搭配其他包含metal的固定搭配.

已知一種用以製作電晶體的技術，稱為替代金屬閘極(RMG，replacement metal gate)製程。替代金屬閘極製程涉及在製作期間產生犧牲或虛擬閘極(sacrificial or dummy gate)，並 ...

為了維持互補型金氧半電晶體（CMOS）持續的微縮尺寸，高介電常數（High-k）介電層與 金屬閘電極 （Metal gate）技術已成為邏輯CMOS製程技術基礎。

由於該鐵閘是位於該宿舍的主要出入口，為顧及因工程所產生的噪音、滋擾和施工安全問題，以及避免影響該宿舍的日常操 [...].

高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate, HKMG）和鰭式場效電晶體（FinFET）的結構與成份分析 ... 這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積的層 ...

在2007 Symposium on VLSI Technology有關高介電常數絕緣膜/金屬閘極(high-k/metal gate)議程的會場上，Intel和IBM公司以「電晶體歷史中最大的技術 ...

以Gate-first 而言，HK / MG 係於閘極成型之前即置入，而Gate-last 或稱Replacement metal gate，金屬閘極則是於多晶矽假閘極成型之後填入，旋即移除假閘極。